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(原标题:EUV光刻耗电股票配资交易佣金,被妖魔化了?) 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自天下杂志,谢谢。 根据台积电最新的永续报告书显示,台积电去年能源总消耗量为224亿度,较前年的192亿度增加16.66%,达历年新高,其中,电力占达188.9亿度、年增15%,再创新高,并达能源总消耗量的84.3%,再生能源电力约占21.9亿度、仅9.7%。 其中,先进制程所采用的EUV成为耗电大户,针对这一点,ASML联系媒体做了澄清,「我们不是吃电怪兽。」 1 三理由还EUV清
在英特尔和台积电之后,韩国芯片巨头也加入了EUV光刻机新竞赛。 三星电子半导体(DS)部门最早将于今年年底引进High NA极紫外(EUV)设备。除了下一代曝光设备之外,我们还在开发可以检查高数值孔径掩模的设备。看来他们正在积极从事技术开发,以便在与英特尔和台积电等全球半导体竞争对手的“芯片大战”中具有竞争力。 据业内人士13日报道,三星电子最早将于今年年底和明年第一季度开始进口该公司首款High NA EUV设备“EXE:5000”。据说,华城校区的半导体研究中心(NRD)被认为是第一个 H
IT之家 8 月 13 日消息,据韩媒 THE ELEC 报道,SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示,未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 内存,以降低成本压力。 Seo Jae-Wook 表示: 从 1c DRAM 开始,EUV 光刻成本迅速增加,现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。 (SK 海力士)也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG(IT之家注:即垂直栅极,Vertical Gate)或 3D
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